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PMFPB6532UP數(shù)據(jù)手冊(cè)Nexperia中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

PMFPB6532UP

功能描述

20 V, 3.5 A / 320 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-20 17:56:00

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PMFPB6532UP規(guī)格書詳情

描述 Description

Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    PMFPB6532UP

  • 功能描述:

    MOSFET FET-KY P-Channel 20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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