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PMGD130UN_NEXPERIA/安世_20 V, dual N-channel Trench MOSFET中天科工二部

PMGD130UN

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  • 廠家型號(hào)：

    PMGD130UN

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEXPERIA/安世

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    20300

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-363

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    25+

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-30 19:27:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：PMGD130UN品牌：NEXPERIA/安世

NEXPERIA/安世原裝特價(jià)PMGD130UN即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨

  • 芯片型號(hào)：

    PMGD130UN

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    NEXPERIA【安世】詳情

  • 廠商全稱：

    Nexperia B.V. All rights reserved

  • 中文名稱：

    安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    16 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1176.08 kb

  • 資料說(shuō)明：

    20 V, dual N-channel Trench MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    ：PMGD130UN

  • FET 功能

    ：邏輯電平門

  • 漏源電壓（Vdss）

    ：20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）

    ：1.2A

  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    ：145 毫歐 @ 1.2A，4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）

    ：1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）

    ：1.3nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）

    ：83pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    ：390mW

  • 工作溫度

    ：-55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型

    ：表面貼裝

  • 封裝/外殼

    ：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝

    ：6-TSSOP

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

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    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

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