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PMDPB42UN,115數(shù)據(jù)手冊(cè)恩XP中文資料規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

PMDPB42UN,115

功能描述

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-8 20:00:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :PMDPB42UN,115

  • 生產(chǎn)廠家

    :恩XP

  • FET 功能

    :邏輯電平門

  • 漏源電壓(Vdss)

    :20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))

    :3.9A

  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)

    :50 毫歐 @ 3.9A,4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)

    :1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)

    :3.5nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)

    :185pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    :510mW

  • 工作溫度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型

    :表面貼裝

  • 封裝/外殼

    :6-UDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :DFN2020-6

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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DFN2020-6
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原裝正品現(xiàn)貨
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