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PMDPB42UN,115

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

恩XP

恩XP

PMEG100V100ELPD

NEXPERIA
原廠

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG2010ER,115

Nexperia
SOD-123W-2

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

上傳：北京京北通宇電子元件有限公司

PMEG2015EH

NXP
SOD-123

恩XP

PMEG4005EGWX

NXP
SOD123

恩XP

技術(shù)參數(shù)

  • FET 功能：

    邏輯電平門

  • 漏源電壓（Vdss）：

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：

    3.9A

  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：

    50 毫歐 @ 3.9A，4.5V

  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：

    3.5nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：

    185pF @ 10V

  • 功率 - 最大值：

    510mW

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    6-UDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DFN2020-6

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PMDPB42UN,115供應(yīng)商 更新時間2025-8-7 14:00:00

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