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PHP125N06T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
PHP125N06T |
| 功能描述 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 文件大小 |
63.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Philips Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
PHI【飛利浦】 |
| 中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-10 23:00:00 |
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GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
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