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PHP112N06T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHP112N06T
廠商型號

PHP112N06T

功能描述

N-channel enhancement mode field-effect transistor

文件大小

262.59 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-7-10 23:00:00

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PHP112N06T規(guī)格書詳情

Description

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology.

Product availability:

PHP112N06T in SOT78 (TO-220AB)

PHB112N06T in SOT404 (D2-PAK).

Features

■ Fast switching

■ Very low on-state resistance.

Applications

■ General purpose switching

■ Switched mode power supplies.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHP112N06T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE7 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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