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PHM18NQ15T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
PHM18NQ15T |
功能描述 | TrenchMOS standard level FET |
文件大小 |
91.13 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Philips Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
PHI【飛利浦】 |
中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦 |
原廠標(biāo)識(shí) | PHILIPS |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-3 23:00:00 |
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更多PHM18NQ15T規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology.
特性 Features
■ SOT96 (SO-8) footprint compatible
■ Low thermal resistance
■ Surface mounted package
■ Low profile.
Applications
■ DC-to-DC converter primary side switch
■ Portable equipment applications.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
PHM18NQ15T
- 功能描述:
MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
TrenchMOS™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
9689 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
PHI |
22+ |
BGA |
3000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
SOT1210 |
7850 |
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
恩XP |
22+ |
8-HVSON |
40799 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
M/A-COM |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT1210 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1210 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
19+ |
8-HVSON |
20000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
22+ |
8-HVSON |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
8VDFN |
7000 |
詢價(jià) |