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PHM12NQ20T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHM12NQ20T
廠商型號

PHM12NQ20T

功能描述

TrenchMOS standard level FET

文件大小

219.01 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

原廠標(biāo)識

PHILIPS

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-8-4 23:00:00

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PHM12NQ20T規(guī)格書詳情

描述 Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology.

Product availability:

[PHM12NQ20T in SOT685-1 (QLPAK).]

特性 Features

■ SOT96 (SO-8) footprint compatible

■ Low thermal resistance

■ Surface mount package

■ Low profile.

Applications

■ DC-DC converter primary side switch

■ Portable equipment applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHM12NQ20T

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    TrenchMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHI
24+
NA/
5329
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
詢價
PHI
22+
QLPAK
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
恩XP
2016+
HVSON-8
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
詢價
PHI
18+
SOT685
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
詢價
PHI
07+
QFN
7500
詢價
PHI
23+
QFN
30000
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
詢價
PHI
23+
QFN
10000
原廠原裝正品
詢價
PHI
22+
BGA
3000
原裝正品,支持實單
詢價
PHI
24+
SOT685-1
2079
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢價
恩XP
17+
HVSON-8
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
詢價