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PHD63NQ03LT數(shù)據(jù)手冊恩XP中文資料規(guī)格書

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廠商型號

PHD63NQ03LT

功能描述

TrenchMOS logic level FET

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-22 17:30:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    PHD63NQ03LT

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
恩XP
07+
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7500
原裝進(jìn)口無鉛現(xiàn)貨
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