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PHD14NQ20T數據手冊恩XP中文資料規(guī)格書

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廠商型號

PHD14NQ20T

功能描述

TrenchMOS standard level FET

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數據手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-7 8:36:00

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技術參數

  • 型號:

    PHD14NQ20T

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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