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PHD21N06LT中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHD21N06LT
廠商型號

PHD21N06LT

功能描述

TrenchMOS transistor Logic level FET

文件大小

82.44 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

PHI

中文名稱

飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-6 16:59:00

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PHD21N06LT規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

FEATURES

? ’Trench’ technology

? Low on-state resistance

? Fast switching

? Logic level compatible

Applications:

? d.c. to d.c. converters

? switched mode power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHD21N06LT

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT TRENCH-55

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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