PH3855L中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
PH3855L |
| 功能描述 | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 文件大小 |
307.49 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-5 13:01:00 |
| 人工找貨 | PH3855L價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PH3855L規(guī)格書詳情
1.1 General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in
computing, communications, consumer and industrial applications only.
1.2 Features and benefits
Suitable for logic level gate drive
sources
1.3 Applications
12 V and 24 V loads
DC-to-DC convertors
General purpose power switching
Motors, lamps and solenoids
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
PH3855L
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 55V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
SOT-669 |
13500 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
2023+ |
SOT-669 |
5800 |
進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
SOT-669 |
13500 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
PHI |
23+ |
SOT669 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
25+23+ |
SOT-669 |
26970 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
23+24 |
SOT-669 |
29840 |
主營(yíng)MOS管,二極.三極管,肖特基二極管.功率三極管 |
詢價(jià) | ||
PHI |
2025+ |
SOT-669 |
5425 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
SOT-669 |
16000 |
原廠原裝正品 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
22+ |
LFPAK56 |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
SOT-669 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) |
