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PH3330L中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PH3330L
廠商型號(hào)

PH3330L

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

316.69 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
NEXPERIA
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-4 23:00:00

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PH3330L規(guī)格書(shū)詳情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

and conduction losses

Suitable for logic level gate drive

sources

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Notebook computers

Switched-mode power supplies

Voltage regulators

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PH3330L

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH-3

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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