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PGN06N080數(shù)據(jù)手冊HTSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

PGN06N080

功能描述

屏蔽柵溝槽功率場效應管

制造商

HTSEMI Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

中文名稱

金譽半導體 深圳市金譽半導體股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 23:01:00

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技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :PGN06N080

  • 生產(chǎn)廠家

    :HTSEMI

  • 工藝

    :單N

  • 溝道類型

    :否

  • 防靜電ESD

    :60

  • 漏源耐壓Vds(V)

    :20.000

  • 柵源耐壓Vgs(V)

    :1.7

  • 閾值電壓Vth(V)TYP

    :55.000

  • 電流ID(A)

    :8.000

  • 導通電阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V

    :12.000

  • 導通電阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V

    :0.000

  • 導通電阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V

    :0.000

  • 規(guī)格書

    :0.000

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