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PGN03N010數(shù)據(jù)手冊HTSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

PGN03N010

功能描述

屏蔽柵溝槽功率場效應(yīng)管

制造商

HTSEMI Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

中文名稱

金譽半導(dǎo)體 深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-22 23:01:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :PGN03N010

  • 生產(chǎn)廠家

    :HTSEMI

  • 工藝

    :單P

  • 溝道類型

    :否

  • 防靜電ESD

    :-40

  • 漏源耐壓Vds(V)

    :20.000

  • 柵源耐壓Vgs(V)

    :-1.2

  • 閾值電壓Vth(V)TYP

    :-80.000

  • 電流ID(A)

    :6.200

  • 導(dǎo)通電阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V

    :9.100

  • 導(dǎo)通電阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V

    :0.000

  • 導(dǎo)通電阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V

    :0.000

  • 規(guī)格書

    :0.000

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