PDTD123E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào)	PDTD123E
參數(shù)屬性	PDTD123E 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 3DFN
功能描述	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓
封裝外殼	3-XDFN 裸露焊盤
文件大小	131.77 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商
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更新時(shí)間	2025-9-4 23:01:00
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PDTD123E規(guī)格書詳情

General description

500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.

特性 Features

■ Built-in bias resistors

■ Reduces component count

■ Simplifies circuit design

■ Reduces pick and place costs

■ 500 mA output current capability

■ ±10 resistor ratio tolerance

Applications

■ Digital application in automotive and

industrial segments

■ Cost saving alternative for BC817 series

in digital applications

■ Controlling IC inputs

■ Switching loads

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
PDTD123EQAZ
制造商：
ETC
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
系列：
Automotive, AEC-Q101
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
NPN - 預(yù)偏壓
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 50mA，5V
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
100mV @ 2.5mA，50mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
3-XDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：
DFN1010D-3
描述：
TRANS PREBIAS NPN 3DFN

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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