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PDTD113ZT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTD113ZT
廠商型號(hào)

PDTD113ZT

參數(shù)屬性

PDTD113ZT 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB

功能描述

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW

絲印標(biāo)識(shí)

-7V

封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

71.79 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-5 20:38:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PDTD113ZTVL

  • 制造商:

    ETC

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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