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PDTB123TT分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTB123TT
廠商型號

PDTB123TT

參數(shù)屬性

PDTB123TT 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

功能描述

PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open

絲印標識

1U

封裝外殼

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

353.45 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-6 9:07:00

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PDTB123TT規(guī)格書詳情

Features and benefits

* 500 mA output current capability

* Built-in bias resistor

* Simplifies circuit design

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

* AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTB123TT,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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