PDTB114ET分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PDTB114ET |
| 參數(shù)屬性 | PDTB114ET 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 0.46W |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistor |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
50.43 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | PHI |
| 中文名稱 | 飛利浦 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-10 11:22:00 |
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DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: PDTD114ET.
FEATURES
? Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k? each)
? Simplification of circuit design
? Reduces number of components and board space.
APPLICATIONS
? Especially suitable for space reduction in interface and driver circuits
? Inverter circuit configurations without use of external resistors.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PDTB114ETVL
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 50mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
100mV @ 2.5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 0.46W
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
LQFP80 |
6000 |
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SOT-23 |
7600 |
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詢價 |
