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PDTD113E	文件：67.02 Kbytes Page：10 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k-ohm,R2=1k-ohm	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTD113E	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
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PDTD113EK	文件：67.02 Kbytes Page：10 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k-ohm,R2=1k-ohm	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTD113EK	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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PDTD113EQA	文件：2.34774 Mbytes Page：24 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■500mAoutputcurrentcapability ■Reducedpickandplacecosts ■Built	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTD113EQA	文件：2.34705 Mbytes Page：24 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

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