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PDTA114ET-Q	文件：228.18 Kbytes Page：11 Pages	50V,100mAPNPresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114ET-Q 2.Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reduces	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA114EU	文件：58.88 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EU. FEATURES ?Built-inbiasresistorsR1andR2(typ.10k?each) ?Simplificationofcircuitdesign ?Reducesnumberofcomponentsandboardspace. APPLICATIONS ?Especiallysuitableforspac	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA114EU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA114EU	文件：1.3323 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k?,R2=10k? Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA114EU-Q	文件：224.93 Kbytes Page：10 Pages	50V,100mAPNPresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EU 2.Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomp	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA114T	文件：91.53 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kOHM,R2=open DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA114T	文件：202.93 Kbytes Page：12 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kW,R2=open Features 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA114T_SER	文件：202.93 Kbytes Page：12 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kW,R2=open Features 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA114TE	文件：52.94 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA114TE	文件：91.53 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kOHM,R2=open DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
PDB-V114
制造商：
Advanced Photonix
類別：
傳感器，變送器 > 光學(xué)傳感器 - 光電二極管
包裝：
帶
波長：
950nm
顏色 - 增強(qiáng)：
藍(lán)色
頻譜范圍：
350nm ~ 1100nm
二極管類型：
引腳
不同 nm 時響應(yīng)度：
0.17 A/W @ 450nm
響應(yīng)時間：
13ns
電流 - 暗（典型值）：
335pA
有效面積：
17.92mm2
視角：
63°
工作溫度：
-40°C ~ 125°C
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-5 變體，2 引線，透鏡頂金屬罐
描述：
SENSOR PHOTODIODE 950NM TO5

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