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PDTA114EK

PNPresistor-equippedtransistor

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistorinanSC-59plasticpackage.NPNcomplement:PDTC114EK. FEATURES ?Built-inbiasresistorsR1andR2(typ.10k?each) ?Simplificationofcircuitdesign ?Reducesnumberofcomponentsandboardspace. APPLICATIONS ?Especiallysuitableforspace

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTA114EM

50V,100mAPNPresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallSOT883(SC-101)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EM 2.Featuresandbenefits .100mAoutputcurrentcapability .Built-inbiasresistors .Simplifiescircuitdesig

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA114EM

NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k?,R2=10k?

Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?AEC-Q101qualified

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PDTA114EMB

PNPresistor-equippedtransistor;R1=10k廓,R2=10k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EMB Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiastransistors ■

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PDTA114EQA

50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

Generaldescription 100mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■reducedpickandplacecosts

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PDTA114EQA

50V,100mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?AEC-Q101qualified ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsolderjoint

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PDTA114EQA

50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?built-inbiasresistors ?simplifiescircuitdesign ?reducescomponentcount ?reducedpickandplacecosts ?lowpackageheightof0.37mm ?AEC-Q101qualified ?suitableforAutomaticOpticalInspection (AOI)ofsolderjoint

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PDTA114EQA

50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

1.1Generaldescription 100mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1

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PDTA114EQB

50V,100mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.5mm ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint

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PDTA114EQB

50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.5mm ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PDB-V114

  • 制造商：

    Advanced Photonix

  • 類別：

    傳感器，變送器 > 光學(xué)傳感器 - 光電二極管

  • 包裝：

    帶

  • 波長(zhǎng)：

    950nm

  • 顏色 - 增強(qiáng)：

    藍(lán)色

  • 頻譜范圍：

    350nm ~ 1100nm

  • 二極管類型：

    引腳

  • 不同 nm 時(shí)響應(yīng)度：

    0.17 A/W @ 450nm

  • 響應(yīng)時(shí)間：

    13ns

  • 電流 - 暗（典型值）：

    335pA

  • 有效面積：

    17.92mm2

  • 視角：

    63°

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-5 變體，2 引線，透鏡頂金屬罐

  • 描述：

    SENSOR PHOTODIODE 950NM TO5

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多PDB-V114供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-21 17:40:00

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