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PD85035S-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號(hào) |
PD85035S-E |
參數(shù)屬性 | PD85035S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 40V 870MHZ |
功能描述 | RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
文件大小 |
384.36 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-7-31 23:00:00 |
人工找貨 | PD85035S-E價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PD85035S-E規(guī)格書詳情
PD85035S-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD85035S-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
PD85035S-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
870MHz
- 增益:
17dB
- 額定電流(安培):
8A
- 功率 - 輸出:
15W
- 封裝/外殼:
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
PowerSO-10RF(直引線)
- 描述:
FET RF 40V 870MHZ
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
10RF-Straight-4 |
12700 |
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
10RF-Straight-4 |
8080 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
10RF-Straight-4 |
30000 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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10RF-Straight-4 |
12000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
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2000 |
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ST(意法) |
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
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ST(意法) |
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PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
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