PD85035C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PD85035C |
參數(shù)屬性 | PD85035C 封裝/外殼為M243;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 40V 945MHZ M243 |
功能描述 | RF power transistor - LdmoST family |
封裝外殼 | M243 |
文件大小 |
242.62 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-31 20:55:00 |
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PD85035C規(guī)格書詳情
PD85035C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的PD85035C晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The PD85035C is a common source N-channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD85035C boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology. PD85035C’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio.
特性 Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 35 W with 14.5 dB gain @ 945 MHz / 13.6 V
■ BeO-free ceramic package
■ ESD protection
■ In compliance with the 2002/95/EC european directive
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
PD85035C
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
945MHz
- 增益:
17.5dB
- 額定電流(安培):
8A
- 功率 - 輸出:
15W
- 封裝/外殼:
M243
- 供應(yīng)商器件封裝:
M243
- 描述:
FET RF 40V 945MHZ M243
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
10RF-Straight-4 |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
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ST(意法) |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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10RF-Straight-4 |
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ST/意法 |
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ST(意法) |
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ST |
22+ |
M243 |
9000 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
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