PD85035-E分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PD85035-E |
| 參數屬性 | PD85035-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：FET RF 40V 870MHZ |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線） |
| 文件大小 |
384.36 Kbytes |
| 頁面數量 |
15 頁 |
| 生產廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
| 中文名稱 | 意法半導體集團官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-1 23:00:00 |
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PD85035-E規(guī)格書詳情
PD85035-E屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產的PD85035-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號：
PD85035-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
870MHz
- 增益：
17dB
- 額定電流（安培）：
8A
- 功率 - 輸出：
15W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）
- 供應商器件封裝：
PowerSO-10RF（成形引線）
- 描述：
FET RF 40V 870MHZ
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
ST一天貨期 |
1140+ |
TO-59 |
2000 |
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ST/意法半導體 |
21+ |
10RF-Straight-4 |
8080 |
只做原裝,質量保證 |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST/意法半導體 |
23+ |
10RF-Straight-4 |
12700 |
買原裝認準中賽美 |
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ST/意法半導體 |
24+ |
10RF-Straight-4 |
30000 |
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ST/意法半導體 |
24+ |
10RF-Straight-4 |
6000 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
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ST/意法半導體 |
25+ |
原廠封裝 |
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ST/意法半導體 |
2023+ |
10RF-Straight-4 |
6000 |
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詢價 |
