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PD55008L-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD55008L-E
廠商型號

PD55008L-E

參數(shù)屬性

PD55008L-E 封裝/外殼為8-PowerVDFN;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT

功能描述

RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT

封裝外殼

8-PowerVDFN

文件大小

202.66 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-16 20:22:00

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PD55008L-E規(guī)格書詳情

PD55008L-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD55008L-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

The PD55008L-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12V in common source mode at frequencies up to 1GHz.

PD55008L-E boasts the excellent gain, linearity and reliability of STH1LV latest LDMOS technology mounted in the innovative leadless SMD plastic package, PowerFLAT?. PD55008LE’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio.

General features

■ Excellent thermal stability

■ Common source configuration

■ POUT = 8W with 17dB gain @ 500MHz / 12.5V

■ Integrated ESD protection

■ New leadless plastic package

■ Supplied in tape and reel of 3K units

■ In compliance with 2002/95/EC european directive

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PD55008L-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    500MHz

  • 增益:

    19dB

  • 額定電流(安培):

    5A

  • 功率 - 輸出:

    8W

  • 封裝/外殼:

    8-PowerVDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PowerFLAT?(5x5)

  • 描述:

    TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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