PD55003-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD55003-E |
| 參數(shù)屬性 | PD55003-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
468.27 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
29 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 14:02:00 |
| 人工找貨 | PD55003-E價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PD55003-E規(guī)格書詳情
PD55003-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD55003-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The PD55003-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD55003 boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD55003’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio.
特性 Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 3 W with 17dB gain @ 500 MHz / 12.5 V
■ New RF plastic package
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD55003-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
500MHz
- 增益：
17dB
- 額定電流（安培）：
2.5A
- 功率 - 輸出：
3W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
10-PowerSO
- 描述：
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
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