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SI4410BDY

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFETPowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?BatterySwitch ?LoadSwitch

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI4410DY

HEXFETPowerMOSFET

Description ThisN-channelHEXFET?PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowon-resistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications TheSO-

IRF

International Rectifier

SI4410DY

SingleN-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thisdeviceiswellsuitedforlowvoltageandbattery

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SI4410DY

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Productavailability: Si4410DYinSOT96-1(SO8). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■TrenchMOS?technology. Applications ■DCtoDCconvertor

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

SI4410DY

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ??TrenchFETPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI4410DY

N-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

SI4410DY

N-channelTrenchMOSlogiclevelFET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Low

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

SI4410DY-HF

N-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

SI4410DYPBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description ThisN-channelHEXFET?PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-

IRF

International Rectifier

SI4410DYPBF

N-ChannelMOSFET

Description ThisN-channelHEXFET?PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PCI4410AGHK

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 控制器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 協(xié)議：

    PCI CardBus

  • 功能：

    控制器

  • 接口：

    PCI

  • 標準：

    IEEE 1394-1995，OHCI

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼：

    209-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    209-BGA MICROSTAR（16x16）

  • 描述：

    IC INTEGRATED PC CARD 209-BGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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