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PBSS4130PANP中文資料恩XP數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

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廠商型號(hào)

PBSS4130PANP

功能描述

30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

345.74 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

21 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

恩XP

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-21 12:00:00

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PBSS4130PANP規(guī)格書詳情

General description

NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/NPN complement: PBSS4130PAN. PNP/PNP complement: PBSS5130PAP.

Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

? High efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified

Applications

? Load switch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEXPERIA/安世
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