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PBSS4130PAN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

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廠商型號(hào)

PBSS4130PAN

功能描述

30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識(shí)

2D

封裝外殼

DFN2020-6

文件大小

752 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-21 15:19:00

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PBSS4130PAN規(guī)格書詳情

1. General description

NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless

medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/PNP complement: PBSS4130PANP. PNP/PNP complement: PBSS5130PAP.

2. Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

? High energy efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Load switch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEXPERIA/安世
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SOT1118
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原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
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