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PBSS4032PZ數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

PBSS4032PZ

參數(shù)屬性

PBSS4032PZ 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 4.4A SOT223

功能描述

30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-6 8:31:00

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PBSS4032PZ規(guī)格書詳情

描述 Description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4032NZ.

特性 Features

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
? Optimized switching time
? High collector current capability IC and ICM
? High collector current gain (hFE) at high IC
? High energy efficiency due to less heat generation
? AEC-Q101 qualified
? Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

應(yīng)用 Application

? DC-to-DC conversion
? Battery-driven devices
? Power management
? Charging circuits

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :PBSS4032PZ

  • 生產(chǎn)廠家

    :Nexperia

  • Package version

    :SOT223

  • Package name

    :SC-73

  • Size (mm)

    :6.5 x 3.5 x 1.65

  • transistor polarity

    :PNP

  • P_tot [max] (mW)

    :2000

  • V_CEO [max] (V)

    :-30

  • I_C [max] (A)

    :-4.4

  • I_CM [max] (A)

    :-10

  • h_FE [min]

    :200

  • h_FE [typ]

    :350

  • f_T [typ] (MHz)

    :130

  • R_CEsat [typ] (mΩ)

    :58

  • R_CEsat [max] (mΩ)

    :86

  • V_CEsat [max] (mV)

    :-400

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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