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PBSS4032NT數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF
| 廠商型號(hào) |
PBSS4032NT |
| 參數(shù)屬性 | PBSS4032NT 封裝/外殼為T(mén)O-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 30V 2.6A TO236AB |
| 功能描述 | 30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名稱(chēng) | 安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 原廠標(biāo)識(shí) | Nexperia |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-6 12:29:00 |
| 人工找貨 | PBSS4032NT價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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描述 Description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS4032PT.
特性 Features
? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
? Optimized switching time
? High collector current capability IC and ICM
? High collector current gain (hFE) at high IC
? High energy efficiency due to less heat generation
? AEC-Q101 qualified
? Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
應(yīng)用 Application
? DC-to-DC conversion
? Battery-driven devices
? Power management
? Charging circuits
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：PBSS4032NT
- 生產(chǎn)廠家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
：NPN
- Ptot (mW)
：390
- VCEO [max] (V)
：30
- IC [max] (mA)
：2600
- hFE [min]
：300
- Tj [max] (°C)
：150
- Automotive qualified
：Y
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
SOT-23 |
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