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PBSS4032NT

Marking：BM；Package：SOT23；30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Optimizedswitchingtime *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration *AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4032NT-Q

Marking：BM；Package：SOT23；30 V, 2.6 A NPN low VCEsat transistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PT-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Optimizedswitchingtime ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4032NT,215

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 30V 2.6A TO236AB

Nexperia USA Inc.

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Nexperia USA Inc.

PBSS4032NX

30V,4.7ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89(SC-62)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PX. Featuresandbenefits ■Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedsw

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PBSS4032NZ

30V,4.9ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Featuresandbenefits *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Optimizedswitchingtime *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration *AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrint

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4032NZ-Q

30V,4.9ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PZ-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Optimizedswitchingtime ?Highcollectorcurrentcapabi

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4032PD

30V,2.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Optimizedswitchingtime *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration *AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo

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PBSS4032PT

30V,2.4APNPlowVCEsat(BISS)transistorRev.01??18December2009

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4032PT

30V,2.4APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Optimizedswitchingtime *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration *AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo

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PBSS4032PT-Q

30V,2.4APNPlowVCEsattransistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NT-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Optimizedswitchingtime ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    PBSS4032NT

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT BISS Transistor Hi-Speed Switch

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PBSS4032NT供應商 更新時間2025-7-23 9:38:00

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