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PBSS3540MB

Marking：PBSS3540MB；Package：SOT883B；40 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmallSOT883BSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2540MB. Featuresandbenefits ■LeadlessultrasmallSMDplastic package ■Lowpackageheightof0.37mm ■

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PBSS3540MB

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 40 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PBSS3540MB供應商 更新時間2025-7-27 9:01:00

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