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PBSS306PZ

100 V, 4.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS306NZ. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hig

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS306PZ

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/s306pz/marking.html">S306PZ；Package：SC-73；100 V, 4.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturation voltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability ICandICM ?Highcollectorcurrentgain(hFE)at highIC ?Highefficiencyduetolessheat generation ?SmallerPrinted-CircuitBoard(PCB) areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS306PZ

100 V, 4.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor; ? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n? High collector current capability IC and ICM\n? High collector current gain (hFE) at high IC\n? High efficiency due to less heat generation\n? Smaller Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n? AEC-Q101 qualified\n;

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS306NZ.\n

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PBSS306PZ-Q

絲印：S306PZ；Package：SC-73；100 V, 4.1 A PNP low VCEsat transistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS306NZ-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highcollectorc

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PBSS306PZ-Q

100 V, 4.1 A PNP low VCEsat transistor;

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PBSS306PZ,135

Package：TO-261-4，TO-261AA；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 100V 4.1A SOT223

Nexperia USA Inc.

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Nexperia USA Inc.

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    SC-73

  • Size (mm)：

    6.5 x 3.5 x 1.65

  • Polarity：

    PNP

  • Ptot [max] (mW)：

    2000

  • VCEO [max] (V)：

    -100

  • IC [max] (A)：

    -4.1

  • ICM [max] (A)：

    -8.2

  • hFE [min]：

    200

  • hFE [typ]：

    300

  • fT [typ] (MHz)：

    100

  • RCEsat [typ] (mΩ)：

    56

  • RCEsat [max] (mΩ)：

    80

  • VCEsat [max] (mV)：

    -325

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