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PBSS303ND分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

PBSS303ND

參數(shù)屬性

PBSS303ND 封裝/外殼為SC-74,SOT-457;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 1A 6TSOP

功能描述

60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

絲印標識

AE

封裝外殼

SC-74 / SC-74,SOT-457

文件大小

279.48 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-22 8:16:00

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PBSS303ND規(guī)格書詳情

特性 Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS303ND,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    515mV @ 600mA,6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    345 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    140MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-74,SOT-457

  • 供應商器件封裝:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 1A 6TSOP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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