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首頁>PBSS302ND>規(guī)格書詳情

PBSS302ND分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

PBSS302ND

參數(shù)屬性

PBSS302ND 封裝/外殼為SC-74,SOT-457;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 40V 4A 6TSOP

功能描述

40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識

C7

封裝外殼

SC-74 / SC-74,SOT-457

文件大小

258.17 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-22 13:33:00

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PBSS302ND規(guī)格書詳情

1.1 General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)

small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS302PD.

1.2 Features

* Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* 4 A continuous collector current capability IC

* Up to 15 A peak current

* Very low collector-emitter saturation resistance

* High efficiency due to less heat generation

1.3 Applications

* Power management functions

* Charging circuits

* DC-to-DC conversion

* MOSFET gate driving

* Power switches (e.g. motors, fans)

* Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS302NDH

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    450mV @ 600mA,6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-74,SOT-457

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 4A 6TSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
恩XP
24+
SOT-163
60000
詢價
恩XP
24+
6-TSOP
115
詢價
NK/南科功率
2025+
SOT457
986966
國產(chǎn)
詢價
恩XP
24+
SOT-457
10000
十年沉淀唯有原裝
詢價
恩XP
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