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PBSS301PZ數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

PBSS301PZ

參數(shù)屬性

PBSS301PZ 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 12V 5.7A SOT223

功能描述

12 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-13 15:47:00

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PBSS301PZ規(guī)格書詳情

描述 Description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS301NZ.

特性 Features

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
? High collector current capability IC and ICM
? High collector current gain (hFE) at high IC
? High efficiency due to less heat generation
? Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
? AEC-Q101 qualified

應(yīng)用 Application

? DC-to-DC conversion
? MOSFET gate driving
? Motor control
? Charging circuits
? Power switches (e.g. motors, fans)

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :PBSS301PZ

  • 生產(chǎn)廠家

    :Nexperia

  • Package name

    :SC-73

  • Size (mm)

    :6.5 x 3.5 x 1.65

  • Polarity

    :PNP

  • Ptot [max] (mW)

    :2000

  • VCEO [max] (V)

    :-12

  • IC [max] (A)

    :-5.7

  • ICM [max] (A)

    :-11.4

  • hFE [min]

    :250

  • hFE [typ]

    :400

  • fT [typ] (MHz)

    :140

  • RCEsat [typ] (mΩ)

    :41

  • RCEsat [typ] (mΩ)

    :32.5

  • RCEsat [max] (mΩ)

    :65

  • RCEsat [max] (mΩ)

    :45

  • VCEsat [max] (mV)

    :-260

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