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PBSS301PD數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF

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廠商型號

PBSS301PD

參數(shù)屬性

PBSS301PD 封裝/外殼為SC-74,SOT-457;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 20V 4A 6TSOP

功能描述

20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

SC-74,SOT-457

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-14 10:28:00

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PBSS301PD規(guī)格書詳情

描述 Description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS301ND.

特性 Features

? Very low collector-emitter saturation resistance
? Ultra low collector-emitter saturation voltage
? 4 A continuous collector current
? Up to 15 A peak current
? High efficiency due to less heat generation
? AEC-Q101 qualified

應用 Application

? Power management functions
? Charging circuits
? DC-to-DC conversion
? MOSFET gate driving
? Power switches (e.g. motors, fans)
? Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :PBSS301PD

  • 生產(chǎn)廠家

    :Nexperia

  • Package name

    :TSOP6

  • Size (mm)

    :2.9 x 1.5 x 1

  • Polarity

    :PNP

  • Ptot [max] (mW)

    :2500

  • VCEO [max] (V)

    :-20

  • IC [max] (A)

    :-4

  • ICM [max] (A)

    :-15

  • hFE [min]

    :250

  • hFE [typ]

    :400

  • fT [typ] (MHz)

    :80

  • RCEsat [typ] (mΩ)

    :50

  • RCEsat [max] (mΩ)

    :70

  • VCEsat [max] (mV)

    :-420

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