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PBRN113ET

絲印：7G；Package：SOT23；40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ET

絲印：7G；Package：SOT23；NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *HighcurrentgainhFE *Reducescomponentcount *Built-inbiasresistors *Reducespickandplacecosts *Simplifiescircuitdesign *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ET

NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k?? R2 = 1 k?

ETC

ETC

PBRN113ET-Q

絲印：7G；Package：SOT23；40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ET,215

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

ETC

ETC

PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

ETC

ETC

PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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PBRN113Z_SER

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

ETC

ETC

PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PBRN113ET

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
NEXPERIA/安世
25+
SOT-23
600000
NEXPERIA/安世全新特價(jià)PBRN113ET即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂
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Nexperia/安世
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SOT23
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原廠原裝正品現(xiàn)貨
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SOT-23
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原裝正品
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NEXPERIA/安世
25+
SOT-23
210000
全新原裝現(xiàn)貨庫存
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SOT-23
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AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
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NEXPERIA/安世
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SOT-23
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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恩XP
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SOT-423
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
 詢價(jià)
更多PBRN113ET供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:33:00

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