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PBRN113Z中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PBRN113Z
廠商型號

PBRN113Z

功能描述

NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW

文件大小

741.87 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-7 16:38:00

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PBRN113Z規(guī)格書詳情

特性 Features

* 800 mA output current capability

* High current gain hFE

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

* Low collector-emitter saturation voltage

VCEsat

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

* ±10 resistor ratio tolerance

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PBRN113Z

  • 功能描述:

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性:

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作頻率:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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