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PBHV8118T分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBHV8118T
廠商型號

PBHV8118T

參數屬性

PBHV8118T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 180V 1A TO236AB

功能描述

180 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

絲印標識

LZ

封裝外殼

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

286.76 Kbytes

頁面數量

14

生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網

原廠標識
NEXPERIA
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-3 11:25:00

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PBHV8118T規(guī)格書詳情

Features and benefits

* High voltage

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* AEC-Q101 qualified

* Small SMD plastic package

產品屬性

  • 產品編號:

    PBHV8118T,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    50mV @ 20mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 180V 1A TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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SOT23
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原廠/代理渠道 只做原裝正品 價格優(yōu)勢
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