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PBHV8110DA-AU_R1_000A1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBHV8110DA-AU_R1_000A1
廠商型號(hào)

PBHV8110DA-AU_R1_000A1

參數(shù)屬性

PBHV8110DA-AU_R1_000A1 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 1A SOT23

功能描述

NPN Low Vce(sat) Transistor
TRANS NPN 100V 1A SOT23

絲印標(biāo)識(shí)

811

封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

402.26 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Pan Jit International Inc.
企業(yè)簡稱

PANJIT強(qiáng)茂

中文名稱

強(qiáng)茂股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-8 22:30:00

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PBHV8110DA-AU_R1_000A1規(guī)格書詳情

PBHV8110DA-AU_R1_000A1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由強(qiáng)茂股份有限公司制造生產(chǎn)的PBHV8110DA-AU_R1_000A1晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Features

? Silicon NPN epitaxial type

? Low Vce(sat) 0.35V(max)@Ic/Ib= 500mA / 50mA

? High collector current capability

? Excellent DC current gain characteristics

? AEC-Q101 qualified

? Lead free in comply with EU RoHS 2.0

? Green molding compound as per IEC61249 Standard

? PNP complement: PBHV9110DA

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PBHV8110DA-AU_R1_000A1

  • 制造商:

    Panjit International Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    450mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 1A SOT23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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