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NXH80T120L2Q0數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

廠商型號(hào) |
NXH80T120L2Q0 |
參數(shù)屬性 | NXH80T120L2Q0 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20 |
功能描述 | 功率集成模塊(PIM)T型NPC 1200V 80A IGBT,600V 50A IGBT |
封裝外殼 | 模塊 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-6 23:00:00 |
人工找貨 | NXH80T120L2Q0價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NXH80T120L2Q0規(guī)格書詳情
描述 Description
This high?density, power integrated module (PIM) combines high?performance IGBTs with rugged anti?parallel diodes for sine wave inverter applications.
特性 Features
? High speed 1200V and 650V IGBTs with low VCESAT
? Improved efficiency
? Options with pre-applied thermal interface material (TIM) andwithout pre-applied TIM
? Simpler mounting process
? Options with press-fit pins and solder pins
? Wider choices for module mounting process
應(yīng)用 Application
? Solar Inverters
? UPS inverters
? Solar String Inverters
簡(jiǎn)介
NXH80T120L2Q0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的NXH80T120L2Q0晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
:NXH80T120L2Q0
- 生產(chǎn)廠家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Configuration
:T-Type NPC Inverter
- VBR Max (V)
:1200
- Rated Current (A)
:80
- VCE(sat) Typ (V)
:2.1
- VF Typ (V)
:2.8
- Application
:Industrial
- Package Type
:PIM-20/Q0PACK
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
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