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NXH80T120L2Q0數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

NXH80T120L2Q0

參數(shù)屬性

NXH80T120L2Q0 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20

功能描述

功率集成模塊(PIM)T型NPC 1200V 80A IGBT,600V 50A IGBT
IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20

封裝外殼

模塊

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 23:00:00

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NXH80T120L2Q0規(guī)格書詳情

描述 Description

This high?density, power integrated module (PIM) combines high?performance IGBTs with rugged anti?parallel diodes for sine wave inverter applications.

特性 Features

? High speed 1200V and 650V IGBTs with low VCESAT
? Improved efficiency
? Options with pre-applied thermal interface material (TIM) andwithout pre-applied TIM
? Simpler mounting process
? Options with press-fit pins and solder pins
? Wider choices for module mounting process

應(yīng)用 Application

? Solar Inverters
? UPS inverters
? Solar String Inverters

簡(jiǎn)介

NXH80T120L2Q0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的NXH80T120L2Q0晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :NXH80T120L2Q0

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :T-Type NPC Inverter

  • VBR Max (V)

    :1200

  • Rated Current (A)

    :80

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2.1

  • VF Typ (V)

    :2.8

  • Application

    :Industrial

  • Package Type

    :PIM-20/Q0PACK

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