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NXH800H120L7QDSG數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

NXH800H120L7QDSG

功能描述

Qdual3 1200 V 800 A Half Bridge IGBT Module

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 23:00:00

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NXH800H120L7QDSG規(guī)格書詳情

描述 Description

The NXH800H120L7QDSG is a 1200 V 800 A rated half bridge IGBT power module. The integrated Field Stop Trench 7 IGBTs and Gen. 7 diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

特性 Features

? Field Stop Trench 7 IGBTs & Gen.7 Diodes
? 1200 V, 800 A 2 in 1 Half Bridge Configuration IGBT Power Module
? Isolated Base Plate
? NTC Thermistor
? Solderable Pins
? Low Inductive Layout

應(yīng)用 Application

? DC-AC conversion
? DC-DC conversion
? AC-DC conversion

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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