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NXH80B120MNQ0SNG | Marking:NXH80B120MNQ0SNG;Package:Q0BOOST;Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package TheNXH80B120MNQ0SNGisapowermodulecontainingadual booststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features ?1200V80mSiCMOSFETs ?LowReverseRe | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | |
NXH80B120MNQ0SNG | Marking:NXH80B120MNQ0SNG;Package:Q0BOOST;Dual Boost Power Module | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
NXH80B120MNQ0SNG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
托盤
- 配置:
雙路升壓斬波器
- 輸入:
標準
- NTC 熱敏電阻:
是
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應商器件封裝:
22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)
- 描述:
PIM POWER MODULE
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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