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NXH80B120MNQ0SNG

Marking:NXH80B120MNQ0SNG;Package:Q0BOOST;Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package

TheNXH80B120MNQ0SNGisapowermodulecontainingadual booststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features ?1200V80mSiCMOSFETs ?LowReverseRe

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NXH80B120MNQ0SNG

Marking:NXH80B120MNQ0SNG;Package:Q0BOOST;Dual Boost Power Module

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NXH80B120MNQ0SNG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    雙路升壓斬波器

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)

  • 描述:

    PIM POWER MODULE

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格

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