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NXH80B120MNQ0SNG | Marking：NXH80B120MNQ0SNG；Package：Q0BOOST；Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package TheNXH80B120MNQ0SNGisapowermodulecontainingadual booststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features ?1200V80mSiCMOSFETs ?LowReverseRe | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
NXH80B120MNQ0SNG | Marking：NXH80B120MNQ0SNG；Package：Q0BOOST；Dual Boost Power Module | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
NXH80B120MNQ0SNG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 配置：
雙路升壓斬波器
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
- 描述：
PIM POWER MODULE
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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