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NXH35C120L2C2E數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

NXH35C120L2C2E

參數(shù)屬性

NXH35C120L2C2E 封裝/外殼為26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm);包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG

功能描述

IGBT Module, CIB 1200 V, 35 A IGBT - DBC with enhanced thermal conductivity
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG

封裝外殼

26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-23 23:00:00

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NXH35C120L2C2E規(guī)格書詳情

描述 Description

The NXH35C120L2C2ESG is a transfer?molded power module
containing a converter?inverter?brake circuit consisting of six 35 A,
1600 V rectifiers, six 35 A, 1200 V IGBTs with inverse diodes, one
35 A, 1200 V brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.

特性 Features

? Low Thermal Resistance
? Improved power capability
? 6mm Clearance Distance from Pin to Heatsink
? Simple heatsink construction
? Compact 73mm x 40mm x 8mm Package
? Thinner than standard 12mm or 17mm packages. Smaller than standard 17mm packages.
? Solderable Pins
? High reliability contacts in corrosive atmosphere environments

應(yīng)用 Application

? Industrial Motor Drives
? Pumps
? Fans
? Industrial Motor Drives
? Heat Pumps
? HVAC

簡(jiǎn)介

NXH35C120L2C2E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的NXH35C120L2C2E晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :NXH35C120L2C2E

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Converter Inverter Brake (CIB)

  • VBR Max (V)

    :1200

  • Rated Current (A)

    :35

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.8

  • VF Typ (V)

    :2.2

  • Application

    :Industrial

  • Package Type

    :DIP26 67.8x40

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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