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NXH40B120MNQ1SNG | Marking：NXH40B120MNQ1SNG；Package：PIM32；Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package TheNXH40B120MNQ1SNGisapowermodulecontainingathree channelbooststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodes providelowerconductionlossesandswitchinglosses,enabling designerstoachievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features ?1200V40mSiCMOSFETs ?LowR | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
NXH40B120MNQ1SNG | Marking：NXH40B120MNQ1SNG；Package：PIM32；3 Channel Boost Q1 Power Module | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
NXH40B120MNQ1SNG
- 制造商：
onsemi
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤(pán)
- 配置：
三，雙 - 共源
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
32-PIM（71x37.4）
- 描述：
30KW Q1BOOST FULL SIC
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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