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NXH350N100H4Q2F2S1G | Marking：NXH350N100H4Q2F2S1G；Package：Q2PACK；Three Level NPC Q2Pack Module Thishigh?density,integratedpowermodulecombines high?performanceIGBTswithruggedanti?paralleldiodes. Features ?ExtremelyEfficientTrenchwithFieldStopTechnology ?LowSwitchingLossReducesSystemPowerDissipation ?ModuleDesignOffersHighPowerDensity ?LowInductiveLayo | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
NXH350N100H4Q2F2S1G | Marking：NXH350N100H4Q2F2S1G；Package：Q2PACK；Three Level NPC Q2Pack Module | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
Marking：NXH350N100H4Q2F2S1G-R；Package：Q2PACK；Three Level NPC Q2Pack Module Thishigh?density,integratedpowermodulecombines high?performanceIGBTswithruggedanti?paralleldiodes. Features ?ExtremelyEfficientTrenchwithFieldStopTechnology ?LowSwitchingLossReducesSystemPowerDissipation ?ModuleDesignOffersHighPowerDensity ?LowInductiveLayo | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
NXH350N100H4Q2F2S1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 配置：
三級(jí)反相器
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，375A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
42-PIM/Q2PACK（93x47）
- 描述：
IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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