描述 Description

NX3L2T66是雙路低電阻單刀單擲模擬開關(guān)。每個(gè)開關(guān)都具有兩個(gè)輸入/輸出端子（nY和nZ）以及一個(gè)高電平有效使能輸入(nE)。針腳nE為低電平時(shí)，模擬開關(guān)關(guān)閉。
使能輸入(nE)處的施密特觸發(fā)器動(dòng)作使電路容許較慢的輸入上升和下降時(shí)間。低輸入電壓閾值使針腳nE能由較低電平邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng)而不明顯增大電源電流ICC。NX3L2T66因此能夠使用1.8 V數(shù)字控制器切換4.3 V信號(hào)，無需邏輯電平轉(zhuǎn)換。
NX3L2T66允許振幅高達(dá)VCC的信號(hào)從nY傳輸?shù)絥Z；或從nZ傳輸?shù)絥Y。其低導(dǎo)通電阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)確保最小衰減和傳輸信號(hào)失真。

特性 Features

1.4 V至4.3 V的寬電源電壓范圍
極低導(dǎo)通電阻（峰值）： VCC = 1.4 V時(shí)，1.6?（典型值）
VCC = 1.65 V時(shí)，1.0?（典型值）
VCC = 2.3 V時(shí)，0.55 ?（典型值）
VCC = 2.7 V時(shí)，0.50 ?（典型值）
VCC = 4.3 V時(shí)，0.50 ?（典型值）

高抗噪性
ESD保護(hù)： HBM JESD22-A114F 3A類超過7500 V
MM JESD22-A115-A超過200 V
CDM AEC-Q100-011修訂版B超過1000 V
IEC61000-4-2接觸放電超過4000 V（適合開關(guān)端口）

CMOS低功耗
閉鎖性能超過100 mA，符合JESD 78 II類A級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
VCC = 3.6 V時(shí)的1.8 V控制邏輯
控制輸入接受高于電源電壓的電壓
極低電源電流，即使輸入低于VCC時(shí)
大電流處理能力（3.3 V電源下為350 mA連續(xù)電流）
額定溫度范圍為-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

應(yīng)用 Application

手機(jī)
PDA
便攜式媒體播放器